MOS ICs & Technology Pro

La aplicación MOS ICs & Technology cubre cursos, conferencias, notas y libros para estudiantes.

Notas sobre MOS ICs & Technology (circuito integrado) para un aprendizaje fácil y un aprendizaje rápido. Esta aplicación es en realidad un manual, que cubre todos los temas del tema. Puede considerar esta aplicación como una nota que los profesores guían en un aula.

Puede aprobar y aprobar fácilmente sus exámenes y entrevistas si tiene esta aplicación en su teléfono móvil, y ofrezca una visión general durante unos días.

Abarca 114 temas de MOS ICs & Technology en detalle. Estos 114 temas están divididos en 8 unidades.

Algunos de los temas cubiertos en esta aplicación son:

1. La ley de Moore.

2. Comparación de tecnologías disponibles.

3. Transistores básicos de MOS

4. Modo de mejora de la acción del transistor:

5. Fabricación de NMOS:

6. Fabricación de CMOS- PROCESO P-WELL

7. Proceso de fabricación-N-WELL CMOS:

8. Proceso de fabricación de doble bañera CMOS

9. Tecnología bi-CMOS: - (CMOS bipolar):

10. Producción de máscaras de e-beam.

11. Introducción al transistor MOS

12. Relación entre Vgs e Ids, para un Vds fijo

13. Ecuaciones de MOS (ecuaciones básicas de DC):

14. Efectos de segundo orden

15. CARACTERÍSTICAS DE INVETER CMOS

16. Características del inversor DC

17. Derivación gráfica de las características del inversor DC

18. Margen de ruido

19. Inversores de carga estática MOS

20. Puertas de transmisión.

21. Tristate Inverter

22. Stick diagrams-Codificaciones para proceso NMOS

23. Codificaciones para proceso CMOS.

24. Codificación para BJT y MOSFETs.

25. Estilo de diseño NMOS y CMOS

26. Reglas de diseño - MOS ICs y tecnología

27. Via

28. Reglas de diseño basadas en lambda CMOS

29. Orbit 2um proceso CMOS

30. Estimación de la resistencia.

31. Resistencia laminar de los transistores mos.

32. Estimación de la capacitancia.

33. retraso

34. Retrasos del inversor.

35. Estimación formal del retraso.

36. Conducción de grandes cargas capacitivas.

37. Valor óptimo de f

38. Super buffer

39. Conductores de Bicmos.

40. Retraso de propagación.

41. Otras fuentes de capacitancia.

42. Elección de capas

43. Escalado de dispositivos mos.

44. Diseño físico básico y visión general.

45. Diseño físico básico y visión general.

46. ​​Esquema y trazado de compuertas basicas-Inverter Gate.

47. Esquema y trazado de puertas básicas -NAND y NOR Gate.

48. Puerta de transmisión

49. Diseño de celda estándar CMOS

50. Optimización del diseño para el rendimiento.

51. Pautas generales de diseño

52. BICMOS Lógica

53. Lógica pseudo nmos.

54. Otras variaciones de pseudo nmos: lógica de drenaje múltiple y lógica cambiada.

55. Otras variaciones de pseudo nmos- Lógica cmos dinámica.

56. Otras variaciones de pseudo nmos- CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)

57. Lógica dominó de CMOS

58. Lógica de conmutación de voltaje en cascada

59. pasar la lógica del transistor

60. Estructuras de circuitos lógicos de tecnología CMOS.

61. Escalado de circuitos MOS

62. Tecnología de escalado

63. Hoja de ruta tecnológica internacional para semiconductores (ITRS)

64. Modelos de escala y factores de escala para parámetros de dispositivos

65. Implicaciones del escalamiento

66. Los problemas de interconexión

67. Radio alcanzable

68. Potencia dinámica y estática.

69. Productividad y límites físicos.

70. Limitaciones de escalamiento

71. Sustrato dopaje.

72. Ancho de agotamiento

73. Límites de la miniaturización.

74. Límites de interconexión y resistencia de contacto.

75. Límites debidos a corrientes por debajo del umbral.

76. Límites debidos a corrientes por debajo del umbral.

77. Sistema

78. Flujo de diseño VLSI

79. 3 Enfoque de diseño estructurado

80. Regularidad

81. MOSFET como Switch

82. Conexión en paralelo y en serie de interruptores.

83. INVERSOR CMOS

84. Diseño de la puerta NAND

85. Diseño de puerta NOR.

86. Propiedades de CMOS

87. Puertas complejas.

88. Puertas complejas AOI

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Todo un muy feliz aprendizaje.