Semiconductor Device

电子器件，集成电路，二极管，三极管和结解释简介

*所述的半导体器件，电子电路由既不是良导体，也不是一个良好的绝缘体的材料制成。

*半导体器件都不过是其利用半导体材料的电子特性，如硅，锗和砷化镓，以及有机半导体的电子元件。

关键术语

O类半导体

O二极管

Ø晶体管

ø双极结型晶体管

O基

O收集

Ø发射器

Ò集成电路

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一些在应用程序讨论的主题有：

1.海恩斯-肖克莱实验

2.半导体材料

3.晶格

4.立方晶格

5.平面和方向

6.金刚石晶格

7.散装晶体生长

8.生长单晶铸锭

9.晶圆

10.外延生长

11.气相外延

12.分子束外延

13.电荷载体半导体

14.有效质量

15.本征材料

16.外在材料

17.电子和量子阱洞

18.费米能级

19.补偿和空间电荷中和

20.漂移和电阻

21.光吸收

22.光致发光

23.电致发光

24载流子寿命和光电导

电子和空穴的25直接复合

26.间接重组;诱捕

27.稳态载波发生器;准费米能级

28.光导器件

29.扩散过程

运营商的30.扩散和漂移：内置字段

31.扩散和重组;连续性方程

32.稳态载流子注入：扩散长度

33.渐变的准费米能级

载流子浓度的34温度依赖性

35.温度的影响和掺杂上移动

36.高场效果

37.霍尔效应

38.制造p-n结的：热氧化

39.扩散P-N结的

40.快速热处理

41.离子注入

42.化学气相沉积（CVD）

43.光刻

44.蚀刻

45.金属化

46.均衡条件

47.平衡费米能级

48.空间电荷在一个结

49.正向和反向偏置结

50.载流子注入

51.反向偏置

52.反向偏置击穿

53.齐纳击穿

54.雪崩击穿

55.整流器

56.击穿二极管

57.瞬态和A-C的条件

58.反向恢复瞬态

59.理想二极管型号

60.影响联系的上载流子注入潜力

61.开关二极管

62.电容p-n结的

63.重组和产生的过渡区

64欧姆损耗

65.分级的结

66.金属半导体结：肖特基势垒

67.当前的输运过程

68.热电子，发射理论

69.扩散理论

70.热离子排放为扩散理论

71.整流接触

72.隧穿电流

73.少数载流子注入

74. MIS隧道二极管

75.势垒高度的测量

76.激活电能计量

77.光电测量

78欧姆接触

每个主题是完整的图表，公式和其他形式更好的学习和快速理解图形表示的。

半导体器件是工程教育课程和各大学的技术学位课程的一部分。