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Sobre este MOS ICs & Technology Pro

MOS ICs & Technology App cobrindo curso, palestras, notas e livros para os alunos.

Notas sobre MOS ICs e Tecnologia (circuito integrado) para fácil aprendizagem e aprendizado rápido. Este aplicativo é na verdade um manual, que abrange todos os tópicos do assunto. Você pode considerar este aplicativo como notas que os professores guiam em uma sala de aula.

Você pode facilmente passar e ter sucesso em seus exames e entrevistas, se você tiver este aplicativo no seu celular, e dar uma visão geral por alguns dias.

Abrange 114 tópicos de MOS ICs & Tecnologia em detalhe. Estes 114 tópicos estão divididos em 8 unidades

Alguns dos tópicos abordados nesta aplicação são:

1. Lei de Moore.

2. Comparação das tecnologias disponíveis

3. Transistores MOS Básicos

4. Modo de aprimoramento Ação do transistor:

5. Fabricação NMOS:

6. Fabricação de CMOS - P-WELL PROCESS

7. CMOS fabricação-N-WELL PROCESS:

8. Processo CMOS - Processo Twin-Tub

9. Tecnologia Bi-CMOS: - (CMOS bipolar):

10. Produção de máscaras de feixe eletrônico

11. Introdução ao Transistor MOS

12. Relação entre Vgs e Ids, para um Vds fixo

13. Equações de MOS (equações básicas de DC):

14. Efeitos do segundo pedido

15. CARACTERÍSTICAS DO CMOS INVETER

16. Características do inversor DC

17. Derivação Gráfica das Características da CC do Inversor

18. Margem de Ruído

19. Inversores MOS de carga estática

20. portões de transmissão

21. Inversor Tristado

22. Diagramas de varetas - Codificações para o processo NMOS

23. Codificações para o processo CMOS

24. Codificação para BJT e MOSFETs

25. Estilo NMOS e CMOS Design

26. Regras de Design - MOS ICs & Technology

27. Via

28. Regras de design baseadas em CMOS lambda

29. Orbit 2um CMOS process

30. Estimativa de resistência.

31. Resistência da folha de transistores mos

32. Estimativa de capacitância

33. Atraso

34. Atrasos do inversor

35. Estimativa formal de atraso

36. Condução de grande capacidade capacitiva

37. Valor ótimo de f

38. Super buffer

39. Motoristas de Bicmos

40. Atraso de propagação

41. Outras fontes de capacitância

42. Escolha de camadas

43. Escala de dispositivos mos

44. Projeto físico básico uma visão geral

45. Projeto físico básico uma visão geral

46. ​​Esquema e layout dos portões básicos - Inversor Gate

47. Esquema e layout dos portões básicos - NAND e NOR Gate

48. Portão de transmissão

49. Design de célula padrão CMOS

50. Otimização de layout para desempenho

51. Diretrizes gerais de layout

52. BICMOS Logic

53. Lógica do pseudo-nmos

54. Outras variações de pseudo-nmos- Lógica de dreno múltiplo e lógica em gangues

55. Outras variações de pseudo-nmos- lógica cmos dinâmica

56. Outras variações de pseudo-nmos- LÓGICA DO CMOS CLOCKED (C2MOS)

57. Lógica do CMOS domino

58. Lógica de comutação de tensão em cascata

59. Passar a lógica do transistor

60. Estruturas do circuito lógico da tecnologia CMOS

61. Escala de circuitos MOS

62. Escala de Tecnologia

63. Roteiro Internacional de Tecnologia para Semicondutores (ITRS)

64. Escala de Modelos e Fatores de Escala para Parâmetros do Dispositivo

65. Implicações do escalonamento

66. Problemas de interconexão

67. Raio Alcançável

68. Potência Dinâmica e Estática

69. Produtividade e Limites Físicos

70. Limitações do escalonamento

71. Doping de substrato

72. Largura de esgotamento

73. Limites da miniaturização

74. Limites de interconexão e resistência de contato

75. Limites devido a correntes sublimiares

76. Limites devido a correntes sublimiares

77. Sistema

78. Fluxo de design do VLSI

79. 3 Abordagem de Projeto Estruturado

80. Regularidade

81. MOSFET como um interruptor

82. Conexão paralela e em série de switches

83. INVERSOR CMOS

84. Projeto da porta NAND

85. Design da porta NOR

86. Propriedades do CMOS

87. Portões complexos

88. Portas complexas AOI

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