We use cookies and other technologies on this website to enhance your user experience.
By clicking any link on this page you are giving your consent to our Privacy Policy and Cookies Policy.

Oписание MOS ICs & Technology Pro

MOS ICs & Technology App охватывает курс, лекцию, заметки и книги для студентов.

Примечания к MOS ICs & Technology (интегральная схема) для легкого обучения и быстрого обучения. Это приложение на самом деле является справочником, который охватывает все темы темы. Вы можете рассматривать это приложение как заметки, которые преподаватели ведут в классе.

Вы можете очень легко пройти и преуспеть в своих экзаменах и интервью, если у вас есть это приложение на мобильном телефоне, и дайте обзор на несколько дней.

Он подробно описывает 114 тем MOS ICs & Technology. Эти 114 тем разделены на 8 единиц

Некоторые из тем, охватываемых в этом приложении:

1. Закон Мура.

2. Сравнение доступных технологий

3. Базовые МОП-транзисторы

4. Режим улучшения. Транзисторное действие:

5. Изготовление NMOS:

6. Изготовление CMOS-ПРОЦЕСС P-WELL

7. Изготовление CMOS-ПРОЦЕСС N-WELL:

8. Изготовление CMOS - процесс с двумя ваннами

9. Технология Bi-CMOS: - (биполярный CMOS):

10. Изготовление электронно-лучевых масок

11. Введение в МОП-транзистор

12. Связь между Vgs и идентификаторами для фиксированного Vds

13. Уравнения MOS (основные уравнения постоянного тока):

14. Эффекты второго порядка

15. ХАРАКТЕРИСТИКИ КМОПОВ ИНВЕНТАРЯ

16. Характеристики инвертора постоянного тока

17. Графическое определение характеристик инвертора постоянного тока

18. Шум

19. Статические нагрузки MOS-инверторы

20. Коробки передач

21. Инвертор Tristate

22. Направляющие диаграммы-Кодировки для процесса NMOS

23. Кодировки для процесса CMOS

24. Кодирование для BJT и полевых МОП-транзисторов

25. Дизайн NMOS и CMOS

26. Правила проектирования - МОС-микросхемы и технологии

27. Via

28. Правила проектирования CMOS на основе лямбда

29. Процесс CMOS Orbit 2um

30. Оценка сопротивления.

31. Листопрочность МОП-транзисторов

32. Оценка пропускной способности

33. Задержка

34. Задержки инвертора

35. Формальная оценка задержки

36. Вождение большой емкостной нагрузки

37. Оптимальное значение f

38. Супер буфер

39. Драйверы Bicmos

40. Задержка распространения

41. Другие источники емкости

42. Выбор слоев

43. Масштабирование MOS-устройств

44. Основной физический дизайн

45. Основной физический дизайн - обзор

46. ​​Схема и расположение основных ворот - инверторные ворота

47. Схема и расположение основных ворот - NAND и NOR Gate

48. Коробка передачи

49. Стандартная конструкция ячейки CMOS

50. Оптимизация компоновки для производительности

51. Общие руководящие принципы компоновки

52. Логика БИКМОС

53. Логика псевдомонов

54. Другие варианты псевдомонов - логика многоканального стока и логика Ganged

55. Другие вариации псевдомосковой логики Dynamic CMOS

56. Другие варианты псевдономов - CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)

57. Логика домино CMOS

58. Логика переключения каскадного напряжения

59. Проходная транзисторная логика

60. Структуры логических схем технологии CMOS

61. Масштабирование схем MOS

62. Масштабирование технологии

63. Международная дорожная карта для полупроводников (ITRS)

64. Масштабирование моделей и коэффициентов масштабирования для параметров устройства

65. Последствия масштабирования

66. Межсоединения

67. Достижимый радиус

68. Динамическая и статическая мощность

69. Производительность и физические ограничения

70. Ограничения масштабирования

71. Допинг субстрата

72. Ширина истощения

73. Пределы миниатюризации

74. Пределы межсоединения и контактного сопротивления

75. Пределы из-за подпороговых токов

76. Пределы, обусловленные подпороговыми токами

77. система

78. Расчетный поток СБИС

79. 3 Структурный подход к проектированию

80. Регулярность

81. МОП-транзистор как коммутатор

82. Параллельное и последовательное подключение переключателей

83. ИНВЕРТОР КМОП

84. Конструкция NAND-ворот

85. Конструкция ворот НОР

86. Свойства CMOS

87. Комплексные ворота

88. Комплексные ворота AOI

ВАЖНЫЕ ССЫЛКИ

Обратная связь: Поделитесь своими отзывами на [email protected]

Социальные ссылки

Facebook: https://www.facebook.com/EngineeringEasy/

Twitter: https://twitter.com/easyengineerin

Веб-сайт: //www.engineeringapps.net/

Все, что вам очень нравится

Что нового в последней версии 1

Last updated on 04/12/2018

Minor bug fixes and improvements. Install or update to the newest version to check it out!

Загрузка перевода...

Дополнительная информация о Приложения

Последняя версия

Запросить MOS ICs & Technology Pro обновление 1

Требуемая версия Android

4.0

Available on

Скачать MOS ICs & Technology Pro с Google Play

Ещё

MOS ICs & Technology Pro Скриншоты

Подпишитесь на APKPure
Будьте первым, кто получит доступ к раннему выпуску, новостям и руководствам лучших игр и приложений для Android.
Нет, спасибо
Подписаться
Подписка оформлена!
Теперь вы подписаны на APKPure.
Подпишитесь на APKPure
Будьте первым, кто получит доступ к раннему выпуску, новостям и руководствам лучших игр и приложений для Android.
Нет, спасибо
Подписаться
Подписаны!
Теперь вы подписаны на нашу рассылку.